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在全球四大NAND豪门中，三星不仅是最早量产TLC闪存的，也是第一家量产3D闪存的，前者已经有了840、840 Evo两代产品，3D闪存中也推出了850
Pro这样的产品，三星下一步就是推出3D V-NAND技术的TLC闪存，具体产品也没有悬念——那就是850 Evo，之前已经预定了。
与主流的MLC闪存良好口碑相比，TLC闪存则是毁誉参半，三星已经改用3bit MLC这个名字了，而之前iPhone
6手机采用TLC闪存一事也闹得人心惶惶，虽然很多人根本说不出来TLC闪存到底哪里不好，不过肯定没谁高兴自己买到TLC闪存的iPhone 6。
TLC闪存在可靠性及性能上有天生劣势，不过三星的V-NAND技术又能在一定程度上改善TLC闪存性能差、可靠性低的问题（详情可以参考之前的V-NAND技术解析），现在850
Evo硬盘身上同时具备TLC和V-NAND两种技术，其表现又会如何呢？
日本4Gamer网站日前就测试了三星850
Evo硬盘，并与前代的840 Evo做了详细对比，关注850 Evo硬盘的玩家可以先看看了。
850 Evo硬盘型号及规格
三星840 Evo发布时容量最高750GB，不过之后提升到了1TB，850 Evo现在也是120GB、250GB、500GB及1TB，SATA
6Gbps接口，缓存容量分别是256MB、512MB、512MB及1GB，读取速度540MB/s，写入速度520MB/s，其中前三个型号搭配的是MGX主控，1TB版使用的是MEX主控。
850 Evo升级变化之V-NAND闪存
包装上就可以看到V-NAND技术的印记
与前代840 Evo相比，850 Evo最大的变化就是升级了V-NAND技术，之前850 Pro上已经使用了这种技术，详细技术介绍不多说了，可以参考之前的介绍，850
Evo使用的也是第二代的32层堆叠，不过具体的制程工艺没有看到4Gamer提及，还是假定跟850 Pro是一样的40nm工艺吧。
850 Pro升级变化之二：MGX新主控
在四个容量的850 Evo硬盘中，1TB版使用的MEX主控跟840 Evo是一样的，而前面三款容量使用的则是新开发的MGX主控，三星表示新主控优化了SSD的性能，特别是低容量下的随机性能，它与840
Evo的对比如下：
850 Evo同容量与840 Evo的性能对比
850 Evo升级变化之TurboWrite改进
第三个变化就是840 Evo上所用的缓存加速技术TurboWrite的改进，简单来说就是在SSD中集成SLC缓存以提高SSD的性能，特别是写入性能，850
Evo上的TurboWrite性能更强，500GB、1TB版写入性能提升了20%左右，如上图所示。
850 Evo升级变化之四：5年质保
前面的技术指标变化对用户来说还不算特别的，但850 Evo的质保时间从之前的3年提升到5年对用户的影响就大了，而三星提高质保时间所依赖的也是V-NAND技术带来的可靠性提升，之前840
Evo的120GB、250GB型号数据写入寿命只有44TB，现在提高到了75TB，500GB及1TB版还可以达到150TB，可靠性大大提高。